31.05.2020 А.С. Сигову 75 лет

31 мая исполнилось 75 лет члену редакционного совета журнала академику Александру Сергеевичу Сигову.

А.С. Сигов родился 31 мая 1945 года в Донецке. В 1968 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова по кафедре квантовой теории. В 1971 году окончил аспирантуру физфака МГУ и был распределён в МИРЭА, где и работает по настоящее время (1985–1998 — декан факультета электроники и оптоэлектронной техники; 1998-2013 — ректор; с 2013 года — президент РТУ МИРЭА).

Александр Сергеевич Сигов — специалист в области физики твердого тела, твердотельной электроники и физического материаловедения, заслуженный деятель науки Российской Федерации, почетный работник высшего профессионального образования РФ, лауреат Государственной премии РФ, премии Правительства РФ в области образования и двух премий Правительства РФ в области науки и техники, премии им. М. В. Ломоносова в области науки и образования, член научного совета при Совете Безопасности РФ, председатель научного совета РАН по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков, член бюро объединённого совета РАН по физике конденсированных сред, член Европейского физического общества, IEEE, Института инженерии и технологий (IET).

А.С. Сигов является главным редактором научных журналов «Электроника», «Наноматериалы и наноструктуры», заместителем главного редактора журнала «Integrated Ferroelectrics», входит в состав редакционных коллегий и советов международных и российских журналов: «Известия РАН. Серия физическая», «Микросистемная техника», «Инженерное образование», «Фотоника» и многих других.

Под его руководством защищено 19 кандидатских диссертаций, 11 его учеников стали докторами наук, он — автор и соавтор более 300 научных трудов, 18 монографий и учебников, 34 изобретений.

Редакция журнала сердечно поздравляет Александра Сергеевича с 75-летним юбилеем!

Рубрики: news

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *