Редакция журнала «Известия Российской академии наук. Серия физическая» выражает глубокие соболезнования родным, близким и коллегам Александра Александровича Каплянского – академика РАН, заведующего лабораторией Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, профессора, почетного доктора Санкт-Петербургского государственного университета, одного из постоянных авторов и редакторов тематических выпусков нашего журнала.

Академик А.А. Каплянский – известный советский и российский физик, специалист в области оптической спектроскопии твёрдого тела. Его работы посвящены исследованиям экситонов в полупроводниках. Он открыл явление оптической анизотропии кубических кристаллов в области экситонного резонанса. Им обнаружены расщепление линий экситонных переходов под действием одноосного упругого сжатия кристаллов и экситонная структура в спектрах фотопроводимости полупроводников. Им открыто обратимое расщепление спектральных линий примесных спектров в кристаллах под действием направленной упругой деформации и разработан «пьезоспектроскопический» метод определения локальной симметрии примесных центров и точечных дефектов в кристаллах.

Каплянским А.А. с сотрудниками открыт и детально изучен структурный фазовый ферроэластический переход в новом классе диэлектрических кристаллов (галогениды ртути), обладающих уникальными анизотропными свойствами.

В серии работ Каплянский А.А. с сотрудниками изучил оптическими методами терагерцовые неравновесные фононы в кристаллических и некристаллических диэлектриках и полупроводниках, в системах с квантовыми ямами, керамиках, волокнах: режимы их распространения, рассеяние на дефектах, взаимодействие с электронными уровнями примесей и экситонами и т.д.

Каплянский А.А. открыл в примесных диэлектриках (концентрированный рубин) спонтанное образование под действием оптического возбуждения устойчивых доменов сильного (~1 мкВ/см) электрического поля, установил механизм аномальных фотоэлектрических явлений в рубине. Он выяснил роль инверсной локальной симметрии примесных центров в явлении выжигания провалов в спектрах примесей.

В последние годы Каплянский А.А. с сотрудниками развивал исследования пористых диэлектриков, в частности, им наблюдались неравновесные нижайшие размерно-квантовые субтерагерцовые акустические колебания сферических наночастиц, изучались «фотонные кристаллы».

А.А. Каплянский в 1953 году окончил физический факультет Ленинградского государственного университета. После университета был принят в аспирантуру в Ленинградский физико-технический институт. В 1957 году под руководством Е. Ф. Гросса защитил кандидатскую диссертацию, посвящённую проблеме обнаружения и исследования линейчатой структуры края фундаментального поглощения полупроводников, связанной с оптическим возбуждением экситонов. В 1967 году защитил докторскую диссертацию по теме «Пьезоспектроскопия кристаллов». Руководил лабораторией спектроскопии твёрдого тела Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН. В 1987 году избран членом-корреспондентом АН СССР, академик РАН c 2003 года. Член СПбНЦ РАН. Главный редактор журнала «Физика твёрдого тела», член редколлегии журнала «Успехи физических наук». Заведующий филиалом кафедры физики твёрдого тела физического факультета в ЛФТИ.

Обладатель многочисленных наград за научные достижения. Лауреат Ленинской премии (в составе группы, за 1966 год) — за теоретические и экспериментальные исследования экситонов в кристаллах. Лауреат Государственной премии СССР (1975) — за цикл работ по созданию нового оптического метода исследования сложных примесных центров и дефектов в кристаллах (1953—1972). Награждён орденом Почёта (1999). Лауреат премии Александра фон Гумбольдта (1997). Лауреат премии им. А. Ф. Иоффе (2008) — за цикл работ «Спектроскопические исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах». Награждён орденом Дружбы (2010). Лауреат премии имени Д. С. Рождественского (совместно с А. К. Пржевуским, С. П. Феофиловым, за 2013 год) — за цикл работ «Спектроскопические исследования структуры примесных центров и электронных процессов в диэлектриках, содержащих ионы редких земель и переходных металлов». Обладатель золотой медали имени П. Н. Лебедева РАН (2021) — за цикл работ «Фотоннокристаллические опалоподобные структуры: синтез и исследования оптических свойств».

Светлая память об Александре Александровиче Каплянском навсегда останется в наших сердцах.